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　　近期第三代半导体概念备受资本市场关注，Wind该概念指数自5月以来累计涨幅近60%，创下历史新高。证券时报·e公司记者注意到，从上游芯片到设备，电子行业上市公司纷纷布局第三代半导体。

　　作为LED芯片龙头，三安光电6月23日宣布总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。据悉，该产线可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。这将是三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。

　　三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，能为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。

　　目前湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。

　　LED芯片同行华灿光电最新表示，公司已通过定增投向第三代化合物半导体，业务进一步向GaN功率器件延伸，未来下游辐射领域可从消费电子扩展至汽车电子、数据中心等各类应用。此外，公司第三代半导体材料与器件重点实验室的各项工作也在有序推进中，但是公司目前暂时没有开展碳化硅的研发。

　　去年，华灿光电定增募集15亿元，投入建设GaN基电力电子器件的研发与制造项目以及mini/Micro LED的研发与制造项目。

　　从事晶圆IDM生产模式的华润微也有布局第三代半导体。在5月份举办的年度股东大会上，公司首席运营官李虹博士介绍，公司第三代半导体碳化硅二极管实现销售额突破；在近期机构调研中，公司高管表示公司拥有国内首条6英寸商用碳化硅生产线，碳化硅二极管产品已实现销售额突破，预计今年将进一步推出SiC MOSFET产品；砷化镓产品6英寸和8英寸平台正在同步开展研发，计划在今年向市场推出有关产品。

　　业内人士指出，第三代半导体投资更小，不用百亿元就可以做一条碳化硅的IDM产线。相比之下，硅的生产线投资强度更大。

　　作为A股IGBT龙头，斯达半导也筹划通过非公开发行，募资不超35亿元，用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、补充流动资金。

　　去年12月，斯达半导投资2.29亿元，建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。

　　有业内人士向证券时报·e公司记者介绍，碳化硅器件在驱动电容电阻领域的生产工艺和技术已经日趋成熟，被认为可以代替IGBT，但是成本较贵；从功率模组封装工艺上来说，碳化硅模块的封装工艺要求比IGBT模块要求更高，斯达半导模块封装技术面临新的考验。

　　在设备端，晶盛机电介绍，公司近年布局的第三代半导体材料碳化硅的研发取得关键进展，成功生长出6英寸碳化硅晶体，公司将持续加强碳化硅长晶工艺和技术的研发和优化，并做好研产转化，建立生长、切片、抛光测试线，在量产过程中逐步打磨产品质量，掌握纯熟工艺和技术，公司碳化硅外延设备已通过客户验证。

　　另外，华峰测控称，去年公司的第三代半导体订单显著增长，未来随着氮化镓、功率模块和电源管理等新兴应用带来大量增量需求。集成电路全产业链国产化加速推进，测试设备涉及芯片制造的全部环节，与客户具有较高的粘性将成为测试设备中巨大的优势。

　　据介绍，近年来，随着半导体技术的不断突破，国产模拟及混合信号芯片进入黄金发展期。尤其第三代半导体器件在快充、5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等领域的应用前景广阔，根据Yole预测， 2025年碳化硅功率器件市场规模将超30亿美元，G砷化镓器件市场规模将超7亿美元，而华峰测控在第三代化合物半导体，尤其是氮化镓领域布局较早，并已经在第三代宽禁带半导体功率模块方面取得了认证，量产，解决了多个砷化镓晶圆测试的业界难题。